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生益电子三十年,第一届技术论坛等系列活动开展

时间:2018-11-29  来源:生益电子  编辑:
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      2018年11月7日下午,由生益电子研发中心承办的“生益电子走向三十年,SYE第一届技术论坛(第二场)”在东城厂活动中心隆重举行。

      会议邀请了与生益电子研发战略合作且代表了业内先进技术自主创新实力的板材、药水、设备供应商,以及具有较高专业水平的知识产权代理机构进行技术交流分享。



      本次论坛分为四个新兴前沿的专题分享,分别由来自广东生益科技股份有限公司技术服务高级经理王立峰先生、美格精细化工(珠海)有限公司技术部副经理张治文先生、金富宝亚太有限公司华南区销售副总裁梁春春女士及北京集佳知识产权代理公司的专利代理人张成先生为到场嘉宾带来了5G、汽车电子、手机技术发展对材料需求的探讨、通信行业高速发展趋势下药水(FLATBOND低粗糙度工艺)的发展趋势、高速PCB背钻(CCD.3D)技术发展趋势及项目研发各环节中专利技术创新点挖掘和技术的创造性判定的技术分享。

/ 四个新兴前沿的专题分享 /

      一、5G、汽车电子、手机技术发展对材料需求的探讨

      广东生益科技股份有限公司技术服务高级经理王立峰先生谈到移动通信每一代革新,都促使移动通信设备投资的快速增长。

      5G技术的发展会带来在物联网、天线系统、功放系统、网络设备、数据中心、OTN、路由器、光模块等方面用到越来越多的高频高速的材料。而材料性能的提升也将会从玻璃布、树脂及铜箔三方面着手,L-2lass型玻璃布(DK3.0)、下一代铜箔(Ra0.5um)、PTFE、碳氢体系将会成为新的开发应用趋势。另外,手机技术的发展也带来了一些新兴技术的开发如 SIP技术、coreless、MSAP技术、interposer技术、LCP材料应用。

      二、通信行业高速发展趋势下药水(FLATBOND低粗糙度工艺)的发展趋势

      美格精细化工(珠海)有限公司技术部副经理张治文先生谈到5G应用场景包含三大方向:Embb(增强移动宽带)、URLLC(超高可靠,超低时延通信)和mMTC(海量机器类通信)。为了满足大容量及高速数据处理,基站及服务器需要增加数据的处理量及更高的速度,高频材料的应用将越来越广泛。

      而传输损耗则是高频应用下将会遇到的问题,传输损耗来源于介电损耗和导体损耗。介电损耗主要由材料的介质损耗角正切决定,导体损耗主要由导体的形状决定 (图形设计, 表面状态) 。

      MEC产品针对干膜前处理、蚀刻、压合前处理均有相应的低粗糙度解决方案。其中压合前处理flatbond系列能实现产品在50GHz的条件下,传输损耗比其它压合前处理的产品的传输损耗低10dB/M。

      三、高速PCB背钻(CCD.3D)技术发展趋势

      富宝亚太有限公司华南区销售副总裁梁春春女士在该部分重点给大家介绍了Schmoll背钻技术的发展历程与方向及Schmoll一般钻机和CCD钻机的技术特点。

      高速产品对背钻stub长度的要求越来越高,从12mil到6mil甚至更小,使用传统的背钻技术已经不能满足要求,需要由新的技术突破。Smartmapping、3D背钻则是Schmoll提出的解决方案。



      四、项目研发各环节中专利技术创新点挖掘和技术的创造性判定

      北京集佳知识产权代理公司的专利代理人张成先生谈到随着技术的高速发展,大批的新技术、新工艺、新方法将会引入制作过程。

      在此过程中,知识产权的保护显得尤为重要。张成先生除了给大家普及了专利的基本知识如专利的定义、专利的分类、申请客体等,还谈到专利授权应具备的三性条件新颖性、创造性和实用性如何判定,并用具体实例帮助大家理解。

      此外,张成先生还给大家分享了专利的挖掘思路和技巧以及专利撰写的方法。


      论坛最后由生益电子副总经理兼运营总监张恭敬先生总结致辞,张总给大家提出了“请进来和走出去”的要求。



      最终,本次论坛在在场各工程管理技术人员满满的收获中圆满成功。